Описание
Характеристики
Информация для заказа
Радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.36 Ом/5.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Корпус | to-220fp |
| Вес, г | 2 |
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 600 В |
| Тип транзистора | Полевой |
- Цена: 3 600 ₸

