
Транзистор FGA40N65SMD FGA40N65 40N65 TO-3P 40A 650V
- В наличии
- Код: 4627079742493
4 500 ₸
+7 (775) 522-77-66
Отдел продаж
- +7 (727) 349-40-51Отдел продаж
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Транзистор FGA40N65SMD FGA40N65 40N65 TO-3P 40A 650V
FGA40N65SMD — транзистор IGBT (биполярный с изолированным затвором) от производителя ON Semiconductor.
Основные характеристики:
- напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650 В;
- максимальный ток коллектора: 80 А;
- коллекторный ток в импульсном режиме: 120 А;
- рассеиваемая мощность: 349 Вт;
- рабочая температура: -55 °C ~ 175 °C;
- исполнение корпуса: TO-3PN.
Применение: может использоваться в солнечных инверторах, ИБП, сварочном оборудовании, индукционном нагреве, телекоммуникациях и других областях, где важны низкие потери при проведении тока и переключении.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип транзистора | Биполярный |
- Цена: 4 500 ₸