Транзистор МП25Б

Транзистор МП25Б

МП25Б

Транзисторы МП25Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.

Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Масса транзистора не более 2,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК», «ВП»

Технические условия:   

- приемка «1» аА0.336.623ТУ;   

- приемка «5» ПЖ0.336.004ТУ1.

Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Импортный аналог: 2N191, 2N43, 2N44, 2SB263, 2N186A, 2SB201, 2SB176.

Основные технические характеристики транзистора МП25Б:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;

• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...80;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,8 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:

МП25Б

М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);

П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;

25 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;

Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.