Транзистор ГТ806Б
Транзисторы ГТ806Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 28,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК».
Технические условия: - приемка «1» - ЮФ3.365.021ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ806Б:
Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10МГц;
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5 В;
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100;
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом.
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Россия |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Поисковые_запросы | Транзистор, ГТ806Б |
- Цена: 3 400 ₸

